http://ir-glass-heat.com/ru/tags/%D0%BE%D0%B1%D1%80%D0%B0%D0%B1%D0%BE%D1%82%D0%BA%D0%B0/ Recent content in Обработка on Infrared Glass Heating Technology Hugo ru Wed, 17 Jun 2026 15:51:38 +0800 http://ir-glass-heat.com/ru/posts/cigs-solar-cell-processing-heater/ Wed, 17 Jun 2026 15:51:38 +0800 http://ir-glass-heat.com/ru/posts/cigs-solar-cell-processing-heater/ <p><img src="http://ir-glass-heat.com/images/a071a4619f1d04d8f3e2839bd3740f1c.png" alt="Нагреватель для обработки солнечных элементов на основе CIGS"></p> <p>На производственном участке температурные колебания – это не просто академические показатели, которые фиксируются в таблицах. Это то, что определяет разницу между элементом типа CIGS с КПД 24,5% и кучей бракованных изделий. Если температурные колебания повлияют на процесс обработки, то ширина линий на поверхности материала будет изменяться. Если процесс затвердевания защитного слоя будет происходить неравномерно, то надежность изделия будет зависеть от случайных факторов. Мы разработали специальные нагреватели для обработки материалов типа CIGS, чтобы устранить эту неопределенность.</p> http://ir-glass-heat.com/ru/posts/sapphire-wafer-processing-heater/ Mon, 08 Jun 2026 05:09:03 +0800 http://ir-glass-heat.com/ru/posts/sapphire-wafer-processing-heater/ <p><img src="http://ir-glass-heat.com/images/e619a459508a95cd74ea4eae0be40cd1.png" alt="Печь для обработки сапфировых пластин"></p> <p>На производственном участке 2-дюймовый сапфировый вафер установлен под литографической системой, ожидая этап Soft Bake. Температура должна составлять 110°C по всей поверхности, а не только по показаниям термопары. Если она ниже — профиль фоторезиста смещается. Если выше — происходит перерасход теплового бюджета.</p> <h2 id="что-действительно-важно-с-технической-точки-зрения">Что действительно важно с технической точки зрения</h2> <p>Нагреватели, используемые для обработки сапфировых ваферов, представляют собой кварцевые излучатели коротковолнового инфракрасного диапазона (SWIR). Они быстро и напрямую подают тепло, обладая минимальной тепловой инерцией. Однородность температуры на уровне вафера сохраняется в пределах ±0.1°C по всей площадке закрепления, а повторяемость межсменных настроек находится в диапазоне ±0.2°C.</p>